M8V使用精选原厂3D NAND颗粒,经过固件的优化,以及主控的调整,M8V的闪存颗粒PE(擦写次数)高达2000次,耐用性高于一般的TLC颗粒。持续读取速度可达560MB/S,持续写入速度可达400MB/S;SSD错误校正,效率更高,寿命更长。
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